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微芯科技 (Microchip)
| 芯链芯城 #: | XLXC-10481465 |
| 型号: | SQJQ186ER-T1_GE3 |
| 制造商: | 威世硅尼克斯(Vishay / Siliconix) |
| 描述: | AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S) |
| 客户型号: | |
| 无铅状态: | 无铅 |
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| 类型 | 描述 | 选择属性 |
|---|---|---|
| 类别 | ||
| 制造商 | 威世硅尼克斯(Vishay / Siliconix) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV | |
| Package / Case | 8-PowerSMD, Gull Wing | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Operating Temperature | -55°C~175°C(TJ) | |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
| FET Type | N-Channel | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 329A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 20A, 10V | |
| Power Dissipation (Max) | 600W (Tc) | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA | |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 185 nC @ 10 V | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10552 pF @ 25 V | |
| Base Product Number | SQJQ186 |
数据表
SQJQ186ER-T1_GE3 数据表 (PDF)| 资源类型 | 链接 |
|---|---|
规格书 | SQJQ186ER |
| 属性 | 描述 |
|---|---|
RoHS 状态 | 符合 ROHS3 规范 |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1 (永久) |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
| 属性 | 描述 |
|---|---|
最小订单数量 | 1 |
标准包装 | 2,000 |
SQJQ186ER-T1_GE3 - 来自制造商: 威世硅尼克斯(Vishay / Siliconix), 它是一款 AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S), 属于 分立半导体产品, 晶体管 , FET,MOSFET, 单 FET,MOSFET。 SQJQ186ER-T1_GE3 库存状态: 现货; 立即订货! 今日发货。