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微芯科技 (Microchip)
| 芯链芯城 #: | XLXC-15323821 | |
| 型号: | G2K2P10SE | |
| 制造商: | Goford Semiconductor | |
| 描述: | P-100V, 3.5A,RD<200M@-10V,VTH1V~ | |
| 客户型号: | ||
| 无铅状态: | 无铅 | |
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| 类型 | 描述 | 选择属性 |
|---|---|---|
| 类别 | ||
| 制造商 | Goford Semiconductor | |
| Series | TrenchFET® | |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
| FET Type | P-Channel | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 3A, 10V | |
| FET Feature | Standard | |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Tc) | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Supplier Device Package | 8-SOP | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1653 pF @ 50 V |
数据表
G2K2P10SE 数据表 (PDF)| 属性 | 描述 |
|---|---|
RoHS 状态 | 符合 ROHS3 规范 |
ECCN | EAR99 |
REACH 状态 | 不受 REACH影响 |
湿气敏感性等级 (MSL) | 3 (168 小时) |
HTSUS | 8541.29.0095 |
| 属性 | 描述 |
|---|---|
最小订单数量 | 1 |
标准包装 | 4,000 |
G2K2P10SE - 来自制造商: Goford Semiconductor, 它是一款 P-100V, 3.5A,RD<200M@-10V,VTH1V~, 属于 分立半导体产品, 晶体管 , FET,MOSFET, 单 FET,MOSFET。 G2K2P10SE 库存状态: 现货; 立即订货! 今日发货。