Nexperia 的 NextPowerS3 MOSFET:高性能和高可靠性的独特定位

Nexperia推出其 NextPowerS3 高性能 MOSFET 平台,具有 25 V、30 V 和 40 V 三种规格。这些 MOSFET 采用超结技术和铜夹 LFPAK 封装,可实现较低的 RDS(on) 值。
Nexperia'MOSFET 的高效设计确保了低尖峰和最小的 IDSS 漏泄,从而实现了可靠、一致的运行。
NextPowerS3 MOSFET 具有出色的连续电流能力,最大额定电流高达 380 A。
此外,采用铜夹 LFPAK 封装有助于有效散热,使 MOSFET 能够在较低温度下工作,并在较长时间内保持性能。其先进的功能和坚固的设计使其成为电源、电机控制和汽车系统等各种应用的理想选择。
特点
- 独特的 SchottkyPlus 体二极管具有低尖峰和低 IDSS 漏电特性
- 提供逻辑级和标准级栅极选项
- 与领先的竞争对手相比,具有巨大的 SOA 能力
- 平衡 RDS(on) 和 QG,实现高效 DC/DC
应用
- 12 V 服务器和计算机 ORings 和热插拔
- 同步整流器和快速开关控制 FET
- 稳压器 (VRM) 和负载点 (PoL) 模块
- 有刷和无刷直流电机控制
- USB PD VBUS 开关、负载开关和电池保护








